Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器的制备方法 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器的制备方法 |
| 郭经纬; 武晓琴; 刘妍; 徐朝鹏; 王海燕 | |
| 2016-11-09 | |
| 专利权人 | 燕山大学 |
| 公开日期 | 2016-11-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： a、在清洁的衬底表面制备锥状n型欧姆接触层； b、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层； c、在n型限制层表面制备本征层； d、在本征层表面制备p型限制层； e、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。 |
| 申请日期 | 2016-07-08 |
| 专利号 | CN106099641A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201610534175.X |
| 公开（公告）号 | CN106099641A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 李合印 |
| 代理机构 | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65412 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 燕山大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭经纬,武晓琴,刘妍,等. 一种半导体激光器的制备方法. CN106099641A[P]. 2016-11-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106099641A.PDF（81KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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