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掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法
其他题名掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法
程艳; 徐晓东; 徐军; 姚罡; 杨新波; 吴锋
2008-07-16
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2008-07-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法,该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为YbxCa(1-2x/3)Nb2O6,其中x的取值范围是:0.005≤x≤0.2,简称为Yb:CaNb2O6,该晶体的熔点为1560℃,相变点为925℃,晶体无色。其生长方法为熔体法生长,晶体生长结束后,采用有氧并避开晶体的相变点的降温退火处理。采用本发明方法可生长出质量优良的镱离子掺杂无序结构Yb:CaNb2O6晶体,可以采用InGaAs激光二极管作为泵浦光源,实现飞秒激光的输出。
其他摘要一种掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法,该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为YbxCa(1-2x/3)Nb2O6,其中x的取值范围是:0.005≤x≤0.2,简称为Yb:CaNb2O6,该晶体的熔点为1560℃,相变点为925℃,晶体无色。其生长方法为熔体法生长,晶体生长结束后,采用有氧并避开晶体的相变点的降温退火处理。采用本发明方法可生长出质量优良的镱离子掺杂无序结构Yb:CaNb2O6晶体,可以采用InGaAs激光二极管作为泵浦光源,实现飞秒激光的输出。
主权项一种掺镱正铌酸钙激光晶体,其特征在于该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为YbxCa(1-2x/3)Nb2O6,其中x的取值范围是:0.005≤x≤0.2,简称为Yb:CaNb2O6,该晶体的熔点为1560℃,相变点为925℃,晶体无色。
申请日期2008-01-25
专利号CN101222114A
专利状态失效
申请号CN200810033105.1
公开(公告)号CN101222114A
IPC 分类号H01S3/16 | C30B29/30 | C30B29/28 | C30B15/04
专利代理人张泽纯
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65406
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
程艳,徐晓东,徐军,等. 掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法. CN101222114A[P]. 2008-07-16.
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