半导体激光装置及其制作方法

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	半导体激光装置及其制作方法
其他题名	半导体激光装置及其制作方法
	鹿岛孝之; 牧田幸治
	2007-10-31
专利权人	松下电器产业株式会社
公开日期	2007-10-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种能够实现高成品率的单片型多波长半导体激光装置及其制作方法。红外激光元件(110)和红色激光元件(120)形成在同一个衬底(101)上。各激光元件(110及120)分别包括由n型包层(103、113)、活性层(104、114)及p型第一包层(105、115)按照上述顺序叠层而成的双重异质结构，以及包含在p型第二包层(107、117)和其上面设置的p型接触层(109、209)的山脊状导波路(150、160)。在各山脊状导波路(150、160)的两侧侧壁及其周围形成了电流阻挡层(132)，并在电流阻挡层(132)上形成了漏电防止层(133)。
其他摘要	本发明提供一种能够实现高成品率的单片型多波长半导体激光装置及其制作方法。红外激光元件(110)和红色激光元件(120)形成在同一个衬底(101)上。各激光元件(110及120)分别包括由n型包层(103、113)、活性层(104、114)及p型第一包层(105、115)按照上述顺序叠层而成的双重异质结构，以及包含在p型第二包层(107、117)和其上面设置的p型接触层(109、209)的山脊状导波路(150、160)。在各山脊状导波路(150、160)的两侧侧壁及其周围形成了电流阻挡层(132)，并在电流阻挡层(132)上形成了漏电防止层(133)。
主权项	一种半导体激光装置，是发射第一波长激光的第一半导体激光元件和发射第二波长激光的第二半导体激光元件形成在同一个衬底上而构成的单片型半导体激光装置，其特征在于：上述第一半导体激光元件及上述第二半导体激光元件分别包括：双重异质结构，是至少由第一导电型包层、活性层及第二导电型包层按照上述顺序叠层而成的，和山脊状导波路，包含在上述第二导电型包层的至少上部和它的上面设置的接触层；此外，上述各山脊状导波路的两侧侧壁及它的周围形成了第一导电型的电流阻挡层，并且在上述电流阻挡层之上形成了漏电防止层。
申请日期	2006-11-30
专利号	CN101064412A
专利状态	失效
申请号	CN200610163717.3
公开（公告）号	CN101064412A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/32 \| H01S5/22
专利代理人	汪惠民
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65397
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下电器产业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	鹿岛孝之,牧田幸治. 半导体激光装置及其制作方法. CN101064412A[P]. 2007-10-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101064412A.PDF（1994KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文