半导体激光器腔面温度的测量方法

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	半导体激光器腔面温度的测量方法
其他题名	半导体激光器腔面温度的测量方法
	饶岚; 宋国峰; 汪卫敏; 陈良惠
	2010-10-20
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2010-10-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。
其他摘要	一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。
主权项	一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，可测量在不同电流注入条件下，处于连续工作状态的半导体激光器的腔面温度分布，其特征在于，该方法包括如下步骤： (1)将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极； (2)测试半导体激光器的参数； (3)将带有半导体激光器的热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上； (4)将半导体激光器的电极与电流输出装置的电流输出端连接； (5)在扫描近场光学显微镜的光学镜头监测下，将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方； (6)设置扫描近场光学显微镜的工作参数； (7)将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，使扫描近场光学显微镜的探针与半导体激光器的出光腔面处于非接触的工作状态； (8)根据半导体激光器的尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围； (9)在没有电流注入的条件下，扫描获得半导体激光器出光腔面的形貌图像； (10)再给半导体激光器注入一个恒定的电流，开始新的半导体激光器出光腔面扫描过程，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像； (11)比较半导体激光器注入电流前后的形貌图像，计算出由于电流注入而引起的半导体激光器出光腔面形貌变化的差值； (12)根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。
申请日期	2009-04-15
专利号	CN101865729A
专利状态	授权
申请号	CN200910081995.8
公开（公告）号	CN101865729A
IPC 分类号	G01K5/48 \| G01R31/26
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65371
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	饶岚,宋国峰,汪卫敏,等. 半导体激光器腔面温度的测量方法. CN101865729A[P]. 2010-10-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101865729A.PDF（572KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文