一种共面电极的边发射半导体激光器

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	一种共面电极的边发射半导体激光器
其他题名	一种共面电极的边发射半导体激光器
	赵泽平; 刘宇; 张一鸣; 张志珂; 刘建国; 祝宁华
	2017-01-18
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-01-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种共面电极的边发射半导体激光器，包括一衬底、两个N电极和一个P电极，所述P电极位于两个N电极中间，其中，两个N电极的顶面与所述P电极的上表面位于同一水平面。本发明通过将边发射的半导体激光器的N极制备在衬底的上表面，通过绝缘材料将N极与P极制备在同一平面，形成共面电极结构；相比于异面电极结构的激光器，减小了N极与P极的纵向距离，有效地减小了激光器芯片的寄生电容和寄生电阻，提高了芯片的调制速率，同时更容易实现芯片的测试和封装工作；本发明可直接采用倒装焊技术，避免金丝的使用，减小封装中的寄生电感；本发明的共面电极的边发射半导体激光器结构适用于高速光电子发射器件中。
其他摘要	一种共面电极的边发射半导体激光器，包括一衬底、两个N电极和一个P电极，所述P电极位于两个N电极中间，其中，两个N电极的顶面与所述P电极的上表面位于同一水平面。本发明通过将边发射的半导体激光器的N极制备在衬底的上表面，通过绝缘材料将N极与P极制备在同一平面，形成共面电极结构；相比于异面电极结构的激光器，减小了N极与P极的纵向距离，有效地减小了激光器芯片的寄生电容和寄生电阻，提高了芯片的调制速率，同时更容易实现芯片的测试和封装工作；本发明可直接采用倒装焊技术，避免金丝的使用，减小封装中的寄生电感；本发明的共面电极的边发射半导体激光器结构适用于高速光电子发射器件中。
主权项	一种共面电极的边发射半导体激光器，包括一衬底(1)、两个N电极(2)和一个P电极(8)，所述P电极(8)位于所述两个N电极(2)的中间，其特征在于：所述两个N电极(2)的顶面与所述P电极(8)的上表面位于同一水平面。
申请日期	2016-10-26
专利号	CN106340809A
专利状态	失效
申请号	CN201610948459.3
公开（公告）号	CN106340809A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/022
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65297
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵泽平,刘宇,张一鸣,等. 一种共面电极的边发射半导体激光器. CN106340809A[P]. 2017-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106340809A.PDF（124KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文