双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法

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	双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
其他题名	双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
	关宝璐; 任秀娟; 郭霞; 李硕; 史国柱; 李川川; 郝聪霞; 郭帅; 周弘毅; 苏治平; 陈树华
	2012-07-11
专利权人	北京工业大学
公开日期	2012-07-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
其他摘要	双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
主权项	双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构，其特征在于，由两部分组成：一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)；这两部分通过粘合层(5)粘合在一起；微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、氧化限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；微机电系统体结构薄膜(200)与半结构的垂直腔面发射激光器(400)四周通过粘合层(5)绝缘性材料集成在一起，形成中空结构，这一中空结构即作为空气隙(15)。
申请日期	2010-12-30
专利号	CN102570301A
专利状态	失效
申请号	CN201010616548.0
公开（公告）号	CN102570301A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65265
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,任秀娟,郭霞,等. 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法. CN102570301A[P]. 2012-07-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102570301A.PDF（519KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文