Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 激光二极管用外延晶片及其制造方法 | |
| 其他题名 | 激光二极管用外延晶片及其制造方法 |
| 黑须健 | |
| 2009-05-06 | |
| 专利权人 | 住友化学株式会社 |
| 公开日期 | 2009-05-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种激光二极管用外延晶片，其中的p型AlGaInP包覆层中的p型载流子浓度均匀、且p型杂质的扩散少。本发明提供的激光二极管用外延晶片具有双异质结构，在n型GaAs衬底(1)上，依次至少层叠由AlGaInP系材料构成的n型包覆层(2)、活性层(3)以及p型包覆层(4)，该激光二极管用外延晶片中，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层(4)中的p型杂质是碳，所述p型包覆层(4)中的载流子浓度在8.0×1017cm－3以上、5×1018cm－3以下的范围。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种激光二极管用外延晶片，其中的p型AlGaInP包覆层中的p型载流子浓度均匀、且p型杂质的扩散少。本发明提供的激光二极管用外延晶片具有双异质结构，在n型GaAs衬底(1)上，依次至少层叠由AlGaInP系材料构成的n型包覆层(2)、活性层(3)以及p型包覆层(4)，该激光二极管用外延晶片中，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层(4)中的p型杂质是碳，所述p型包覆层(4)中的载流子浓度在8.0×1017cm－3以上、5×1018cm－3以下的范围。 |
| 主权项 | 激光二极管用外延晶片，其为具有双异质结构的外延晶片，即在n型GaAs衬底上依次至少层叠n型包覆层、活性层以及p型包覆层，并且所述n型包覆层、活性层以及p型包覆层均由AlGaInP系材料构成，其特征在于，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层中的p型杂质为碳，所述p型包覆层中的载流子浓度在8.0×1017cm-3以上、5×1018cm-3以下的范围。 |
| 申请日期 | 2008-08-26 |
| 专利号 | CN101425658A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200810212432.3 |
| 公开（公告）号 | CN101425658A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/323 | C30B29/40 | H01L21/205 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 钟晶 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65229 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黑须健. 激光二极管用外延晶片及其制造方法. CN101425658A[P]. 2009-05-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101425658A.PDF（227KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [黑须健]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [黑须健]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [黑须健]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论