多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置

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	多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置
其他题名	多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置
	山田正宪; 松下孝一; 宫坂博信; 角田和哉
	2006-03-29
专利权人	株式会社东芝
公开日期	2006-03-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种消耗功率小、热机械特性稳定的多波长半导体激光元件和多波长半导体激光装置。该多波长半导体激光元件，具有：第一半导体激光元件(12)，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件(13)，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比第一半导体激光元件的谐振器长L1短的谐振器L2，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极(17、18、19)，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电气导通；及凸部(14)，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成绝缘膜(20)。
其他摘要	本发明提供一种消耗功率小、热机械特性稳定的多波长半导体激光元件和多波长半导体激光装置。该多波长半导体激光元件，具有：第一半导体激光元件(12)，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件(13)，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比第一半导体激光元件的谐振器长L1短的谐振器L2，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极(17、18、19)，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电气导通；及凸部(14)，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成绝缘膜(20)。
主权项	一种多波长半导体激光元件，其特征在于，具有：第一半导体激光元件，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比上述第一半导体激光元件的谐振器长度短的谐振器，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电导通；以及凸部，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成有绝缘膜。
申请日期	2005-09-26
专利号	CN1753262A
专利状态	失效
申请号	CN200510106430.2
公开（公告）号	CN1753262A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/10 \| H01S5/22
专利代理人	胡建新
代理机构	永新专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65157
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社东芝
推荐引用方式 GB/T 7714	山田正宪,松下孝一,宫坂博信,等. 多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置. CN1753262A[P]. 2006-03-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1753262A.PDF（1200KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文