铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法

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	铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
其他题名	铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
	林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇
	2006-01-11
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2006-01-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，该有源区为发光区；一上波导层，该上波导层制作在有源区上，起到光场限制作用；一上包层，该上包层制作在上波导层上；一P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层制作在上包层上；一P型镓砷欧姆接触层，该P型镓砷欧姆接触层制作在P型镓铟磷层上；一P面电极，该P面电极制作在P型镓砷欧姆接触层上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
其他摘要	一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，该有源区为发光区；一上波导层，该上波导层制作在有源区上，起到光场限制作用；一上包层，该上包层制作在上波导层上；一P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层制作在上包层上；一P型镓砷欧姆接触层，该P型镓砷欧姆接触层制作在P型镓铟磷层上；一P面电极，该P面电极制作在P型镓砷欧姆接触层上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
主权项	一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其特征在于，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，该有源区为发光区；一上波导层，该上波导层制作在有源区上，起到光场限制作用；一上包层，该上包层制作在上波导层上；一P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层制作在上包层上；一P型镓砷欧姆接触层，该P型镓砷欧姆接触层制作在P型镓铟磷层上；一P面电极，该P面电极制作在P型镓砷欧姆接触层上；一N面电极，该N面电极制作在衬底的下面。
申请日期	2004-07-09
专利号	CN1719677A
专利状态	失效
申请号	CN200410062788.5
公开（公告）号	CN1719677A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65137
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	林涛,江李,陈芳,等. 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法. CN1719677A[P]. 2006-01-11.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1719677A.PDF（451KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文