一种N型GaAs基激光二极管的制造方法

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	一种N型GaAs基激光二极管的制造方法
其他题名	一种N型GaAs基激光二极管的制造方法
	周明; 申云; 苏学杰; 段中明
	2014-04-30
专利权人	南通明芯微电子有限公司
公开日期	2014-04-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，其包括形成GaAs衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaAs衬底的方法包括将GaAs晶片放入高温高压装置中，对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaAs晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。
其他摘要	本发明公开了一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，其包括形成GaAs衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaAs衬底的方法包括将GaAs晶片放入高温高压装置中，对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaAs晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。
主权项	一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，包括如下步骤，首先形成GaAs衬底，其次在衬底上依次沉积了n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层，其特征在于，形成GaAs衬底的方法包括如下步骤： (1)在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮； (2)对GaAs晶片加热的同时加压，加热至温度为860～890℃，加压至压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟； (3)停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压。卸压速度为0.3～0.5GPa/分钟； (4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。
申请日期	2014-01-26
专利号	CN103762501A
专利状态	失效
申请号	CN201410038388.4
公开（公告）号	CN103762501A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	刘洪勋
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65086
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南通明芯微电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	周明,申云,苏学杰,等. 一种N型GaAs基激光二极管的制造方法. CN103762501A[P]. 2014-04-30.

条目包含的文件
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CN103762501A.PDF（317KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文