一种倒装垂直腔半导体激光器结构

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	一种倒装垂直腔半导体激光器结构
其他题名	一种倒装垂直腔半导体激光器结构
	崔碧峰; 王阳; 房天啸; 郝帅
	2017-07-14
专利权人	北京工业大学
公开日期	2017-07-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种倒装垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种结构的垂直腔半导体激光器，包括键合到衬底上的P面电极、P型DBR、限制层、有源区、限制层、N型DBR、ZnO透明电极、SiO2和金属电极，实现了小出光孔径的控制。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径以及同时需要在底面出光面进行双面光刻以形成对应的出光窗口，并在出光窗口上制备增透膜的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下进行出光孔径的控制，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
其他摘要	一种倒装垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种结构的垂直腔半导体激光器，包括键合到衬底上的P面电极、P型DBR、限制层、有源区、限制层、N型DBR、ZnO透明电极、SiO2和金属电极，实现了小出光孔径的控制。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径以及同时需要在底面出光面进行双面光刻以形成对应的出光窗口，并在出光窗口上制备增透膜的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下进行出光孔径的控制，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
主权项	一种倒装垂直腔半导体激光器结构，其特征在于：包括键合到衬底上的P面电极(1)、P型DBR(2)、有源区(3)、N型DBR(4)和出光处代替增透膜和电极的ZnO透明电极(5)、SiO2(8)和金属电极(9)。
申请日期	2017-05-18
专利号	CN106953233A
专利状态	申请中
申请号	CN201710350818
公开（公告）号	CN106953233A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65081
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	崔碧峰,王阳,房天啸,等. 一种倒装垂直腔半导体激光器结构. CN106953233A[P]. 2017-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106953233A.PDF（62KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文