キャップ構造体の製造方法及びそれを使用した半導体装置

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	キャップ構造体の製造方法及びそれを使用した半導体装置
其他题名	キャップ構造体の製造方法及びそれを使用した半導体装置
	畠山靖
	2008-07-03
专利权人	新光電気工業株式会社
公开日期	2008-07-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】迷光の発生を効果的に防止できるとともに、熱的に安定な、光透過のためのアイレット部とそれに装着された透光部材とを備えたキャップ構造体を製造する方法を提供すること。【解決手段】アイレット部を備えたキャップ本体を用意することと、キャップ本体に下地めっきを形成することと、下地めっきの上にSn-Niめっきを施すことと、Sn-Niめっきの上にZn-Niめっきを施すことと、Zn-Niめっき皮膜を形成後のキャップ本体を高温下でアニールすることと、アニール後のアイレット部に透光部材を溶着することとを含むように構成する。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供一种制造帽结构的方法，该帽结构具有能够有效地防止杂散光发生的孔眼部分，热稳定并透射光，并且具有安装在其上的光学透射构件。解决方案：制造帽结构的方法包括以下步骤：制备具有孔眼部分的帽体;在帽体下进行底层电镀;在底层镀层上施加Sn-Ni镀层;在Sn-Ni上施加Zn-Ni镀层;在高温下退火形成有Zn-Ni镀层的盖体;并且在退火的孔眼部分上沉积光学透射构件。Ž
主权项	-
申请日期	2006-12-19
专利号	JP2008153523A
专利状态	失效
申请号	JP2006341495
公开（公告）号	JP2008153523A
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01L23/02 \| H01S5/00
专利代理人	青木篤 \| 石田敬 \| 古賀哲次 \| 永坂友康
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64870
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	新光電気工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	畠山靖. キャップ構造体の製造方法及びそれを使用した半導体装置. JP2008153523A[P]. 2008-07-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008153523A.PDF（415KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文