Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子および光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子および光装置 |
| 奥山 浩之; 石橋 晃; 塚本 弘範 | |
| 1999-06-02 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1999-06-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 従来とは異なる材料を用いることにより特性を向上させ寿命を延長させることができる半導体発光素子および光装置を提供する。 【解決手段】 n型GaPよりなる基板1の上にn型クラッド層2,活性層3,p型クラッド層4を順次積層する。n型クラッド層2はn型ZnBeSSe混晶により構成し、活性層3はZnOSSe混晶により構成し、p型クラッド層4はp型ZnBeSSe混晶により構成する。活性層3はOを含み、n型クラッド層2およびp型クラッド層4はBeを含んでいるので、格子定数およびバンドギャップを広い範囲から選択できる。よって、活性層3が歪みを有さないように構成できる。また、p型クラッド層4はBeを含んでいるので、キャリア濃度を高くすることができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种结构的半导体发光元件，其中可以提高元件的特性并使元件的寿命延长，以及光学器件。解决方案：在由n型GaP层构成的基板1上依次层叠n型覆盖层2，有源层3和p型覆盖层4。层2由n型ZnBeSSe混晶构成，层3由ZnOSSe混晶构成，层4由p型ZnBeSSe混晶构成。由于层3包含O并且层2和4包含Be，因此层3,2和4中的光栅常数以及层3,2和4中的带隙可以在宽范围内选择。结果，层3可以以不具有应变的方式构成。此外，由于层4含有Be，因此可以提高层4中的载流子浓度。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-11-14 |
| 专利号 | JP1999150337A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997330914 |
| 公开（公告）号 | JP1999150337A |
| IPC 分类号 | H01L33/14 | H01L21/027 | H01S5/00 | D02J1/22 | D01F8/14 | D01F8/06 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64772 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,石橋 晃,塚本 弘範. 半導体発光素子および光装置. JP1999150337A[P]. 1999-06-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999150337A.PDF（150KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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