半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置
其他题名	半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置
	廣野卓夫; 小林秀紀; 浅井裕充
	1997-12-16
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1997-12-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】数十GHzの光信号に適した高速動作の半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置を提供する。【解決手段】エネルギーの底が低い順に第1から第3サブバンドとすると、半導体導波路25等の半導体光増幅器の活性層を、伝導帯に3つ以上のサブバンドを有し且つ第1サブバンドの一部が電子で満たされた非対称多重量子井戸層8で構成し、第1サブバンドと第2サブバンドとのエネルギーの底の差と非対称多重量子井戸層8の光学フォノンのエネルギーを等しくして信号光を増幅する。また、この半導体光増幅器をゲートとして半導体光スイッチを構成する。更に、これら半導体光増幅器或いは半導体光スイッチとそれの励起手段とで半導体光増幅装置或いは半導体光スイッチ装置を構成し、第3サブバンドと第1サブバンドとのエネルギーの底の差に等しいエネルギーを有し且つパルス幅が第3サブバンドから第2サブバンドへの電子の非輻射緩和時間より短い光パルスで、非対称多重量子井戸層8を励起する。
其他摘要	提供了一种半导体光放大器，半导体光放大器，半导体光开关和半导体光开关器件，其工作在适合于几十GHz的光信号的高速下。半导体光放大器的有源层，例如半导体波导25，在导带和第一子带中具有三个或更多个子带它由不对称多量子阱层8组成，其中带的一部分填充有电子，并且第一和第二子带之间的能量底部的能量差等于不对称多量子阱层8的光学声子的能量。并放大信号灯。此外，半导体光开关配置有半导体光放大器作为栅极。此外，半导体光放大器或半导体光开关由半导体光放大器或半导体光开关及其激励装置构成，并且等于第三子带与第一子带之间的能量底差的能量为用光脉冲激发不对称多量子阱层8，该光脉冲的脉冲宽度短于从第三子带到第二子带的电子的非辐射弛豫时间。
主权项	-
申请日期	1996-06-07
专利号	JP1997326533A
专利状态	失效
申请号	JP1996145313
公开（公告）号	JP1997326533A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/00 \| G02F1/025 \| H01S3/18 \| H01S3/103
专利代理人	光石俊郎 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64731
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	廣野卓夫,小林秀紀,浅井裕充. 半導体光増幅器、半導体光増幅装置、半導体光スイッチ及び半導体光スイッチ装置. JP1997326533A[P]. 1997-12-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997326533A.PDF（42KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文