回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ及びそれを用いた光応用システム

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	回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ及びそれを用いた光応用システム
其他题名	回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ及びそれを用いた光応用システム
	宮▲崎▼ 勝; 青木雅博; 篠田和典; 古森正明
	1999-02-02
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1999-02-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】任意の膜厚分布を持った高出力素子用回折格子を量産性·再現性よく製造する。【解決手段】半導体結晶表面に選択成長のマスク材料からなる選択成長マスク層を成膜し、これをドライエッチにより周期的なパターンに形成した後、任意の場所に対して任意の高さの加工を施し、この選択成長マスク層の表面に結晶成長で回折格子層を形成することによって、任意の膜厚分布を持った回折格子を製造する。
其他摘要	要解决的问题：制造具有任意膜厚度分布的高功率元件的衍射光栅，具有良好的生产率和再现性。在半导体晶体的表面上形成由选择性生长的掩模材料制成的选择性生长掩模层，并且通过干法蚀刻以周期性图案形成选择性生长掩模层，然后进行具有任意高度的处理并且，通过晶体生长在选择性生长掩模层的表面上形成衍射光栅层，以制造具有任意膜厚分布的衍射光栅。
主权项	-
申请日期	1997-07-11
专利号	JP1999031863A
专利状态	失效
申请号	JP1997186255
公开（公告）号	JP1999031863A
IPC 分类号	H01L21/203 \| G02B5/18 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64711
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	宮▲崎▼ 勝,青木雅博,篠田和典,等. 回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ及びそれを用いた光応用システム. JP1999031863A[P]. 1999-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999031863A.PDF（57KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文