Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Coupling method for optical waveguide | |
| 其他题名 | Coupling method for optical waveguide |
| NAKAMURA HITOSHI; MOROSAWA KENICHI; MATSUMURA HIROYOSHI | |
| 1988-05-13 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1988-05-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To improve coupling efficiency between a semiconductor laser and an optical waveguide by forming the optical waveguide with multilayer structure to be selectively etched and etching a waveguide layer up to the depth of a clad layer. CONSTITUTION:A multilayer structure for a laser consisting of a waveguide layer 2, an active layer 3, a clad layer 4, and a cap layer 5 is formed on a substrate 1 having a diffraction grating. The waveguide layer 2 and the active layer 3 are selectively etched in the cavity direction of a laser so as to be deeper than the clad layer 4. An optical waveguide layer 7, a clad layer 8 and a cap layer 9 are formed on the substrate 1 by epitaxial growth. Consequently, the active layer 3 of a semiconductor laser is extremely smoothly coupled with the waveguide layer 7 of the optical waveguide and its high coupling efficiency can be obtained. |
| 其他摘要 | 目的：通过形成具有多层结构的光波导以选择性地蚀刻并蚀刻波导层直至包层的深度来提高半导体激光器和光波导之间的耦合效率。组成：在具有衍射光栅的基板1上形成由波导层2，有源层3，包层4和盖层5组成的激光器的多层结构。在激光器的腔方向上选择性地蚀刻波导层2和有源层3，使其比包层4更深。在基板上形成光波导层7，包层8和盖层9。 1通过外延生长。因此，半导体激光器的有源层3非常平滑地与光波导的波导层7耦合，并且可以获得其高耦合效率。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1986-10-27 |
| 专利号 | JP1988108305A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1986253819 |
| 公开（公告）号 | JP1988108305A |
| IPC 分类号 | H01L27/15 | G02B6/12 | G02B6/122 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64631 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | NAKAMURA HITOSHI,MOROSAWA KENICHI,MATSUMURA HIROYOSHI. Coupling method for optical waveguide. JP1988108305A[P]. 1988-05-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988108305A.PDF（158KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论