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埋め込み半導体光デバイス
其他题名埋め込み半導体光デバイス
曲 克明; 吉國 裕三; 伊藤 敏夫; 吉本 直人
1998-04-10
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期1998-04-10
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 埋め込み構造を有した発光デバイス等との整合性に優れた偏波回転素子や光増幅器を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板上に作製された埋め込み導波路において、その導波路進行方向に沿って導波路近傍の上部の埋め込み層圧が特定周期ごとに薄くなっており、導波路進行方向に導波路の中央部を軸としてその薄くなった埋め込み層の位置が左右で半周期だけずれていることを特徴とする。
其他摘要要解决的问题:通过沿着波导的前进方向使波导附近的上部的埋入层厚度变薄来具有掩埋结构,从而提高具有掩埋结构的调整特性在规定的时间段内,将变薄的位置向左/右移动半个周期,使中心部分成为轴。解决方案:在半导体衬底上的埋入式波导12中,波导附近的上部的埋入层厚度基于规定的周期沿着波导的前进方向变薄,并且位置在稀疏的埋入层在波导的前进方向上向左/右移动半周期,使波导的中心部分成为轴。由于该波导采用埋入式结构,因此为了与诸如光放大器的掩埋结构装置进行集成,也增强了调节特性,并且实现了有效的偏振旋转。此外,通过仅从有源层的中心部分附近的一个方向减薄埋入层厚度,在波导模式中取出非对称性,并且以短的元件长度有效地旋转极化。
主权项-
申请日期1996-09-17
专利号JP1998090542A
专利状态失效
申请号JP1996244514
公开(公告)号JP1998090542A
IPC 分类号G02B6/126 | G02F1/025 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人光石 俊郎 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64587
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克明,吉國 裕三,伊藤 敏夫,等. 埋め込み半導体光デバイス. JP1998090542A[P]. 1998-04-10.
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JP1998090542A.PDF(32KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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