반도체 장치

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	반도체 장치
其他题名	반도체 장치
	사이또신이찌; 아오끼마사히로; 우찌야마히로유끼; 아리모또히데오; 사꾸마노리유끼; 야마모또지로
	2009-04-09
专利权人	가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
公开日期	2009-04-09
授权国家	韩国
专利类型	发明申请
摘要	통상의 실리콘 프로세스를 이용하여 용이하게 형성 가능한 방법에 의해, 실리콘 등의 기판 상에, 실리콘이나 그것에 준하는 게르마늄 등의 IV족 반도체를 기본 구성 요소로 한 실리콘 레이저 소자 및 그 제조 방법을 제공하는것이다. 전자를 주입하는 제1 전극부와, 정공을 주입하는 제2 전극부와, 제1 전극부 및 제2 전극부와 전기적으로 접속된 발광부를 구비하고, 발광부를 단결정의 실리콘으로 하고, 발광부가 제1 면(상면)과 제1 면에 대향하는제2 면(하면)을 갖고, 제1 및 제2 면의 면방위를 (100)면으로 하고, 제1 및 제2 면에 직교하는 방향의 발광부의두께를 얇게 하고, 발광부의 근방에 배치된, 제1 유전체로 구성되는 도파로와, 제1 및 제2 유전체를 교대로 인접시킴으로써 형성한 미러를 갖는 극박 실리콘 레이저이다.
其他摘要	有机硅激光器件使用常规硅工艺决定包含硅氧烷或锗等的IV族半导体到基础部件，其方法能够容易地在包括硅酮等的基板上形成，并且与其成比例并且其制造方法是提供。电子可以被称为由第一电介质构成的波导，使得发光单元的厚度变薄，并且被放置在与第一和第二侧交叉的方向的发光单元附近，第一和第二侧的表面轴承是决定（100）侧包括并且发光单元是单晶的硅树脂，并且它具有第二侧（下侧），其中发光单元面对第一侧（上侧）和第一侧和非常薄的硅树脂激光器具有镜子，该镜子通过邻接第一和第二电介质而形成，其中发光单元与第一电极部分电连接，注入和第二电极部分，注入孔和第一电极部分电极部分和第二电极部分。有机硅激光器，IV族半导体，极薄硅膜，带隙，外延生长，湿法蚀刻，载体，单晶硅。
主权项	The first electrode, for injecting the electron on the substrate and .The second electrode, for injecting the hole and .The light emitting unit, which is electrically connected to the first and the second electrode and it authorizes the voltage in the positive electrode and in that way the electron and hole are injected and emits light. And .it has the mirror section made including the function of reflecting the light emitted from the light emitting unit.the first insulating layer having first dielectric constant formed on the thin film, in which the light emitting unit is formed on the substrate and thin-film form is included.the third dielectric polish layer having the third dielectric constant which is different from the second insulating layer it has of the second insulating layer having by turns has the predetermined gap and it each other is faced with the second dielectric constant which is different from the mirror section, is the first dielectric constant.The semiconductor device, wherein the film thickness of the thin film it is thin than the film thickness of first and second electrode.
申请日期	2008-10-02
专利号	KR1020090035453A
专利状态	失效
申请号	KR1020080097293
公开（公告）号	KR1020090035453A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/0941 \| B82Y20/00 \| H01S5/12 \| H01S5/125 \| H01S5/183 \| H01S5/30 \| H01S3/941
专利代理人	CHANG, SOO KIL \| PARK, CHUNG BUM \| LEE, JUNG HEE
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64566
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
推荐引用方式 GB/T 7714	사이또신이찌,아오끼마사히로,우찌야마히로유끼,et al. 반도체 장치. KR1020090035453A[P]. 2009-04-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
KR1020090035453A.PDF（4500KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文