ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド

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	ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド
其他题名	ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド
	中野義昭; 丸山剛; 梁吉鎬; 小川芳宏
	2000-09-08
专利权人	スタンレー電気株式会社
公开日期	2000-09-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】従来のス-パ-ルミネッセントダイオ-ドは、コンタクト層と上部クラッド層をストライプ状に形成しているため、屈折率導波型となりやすくSLDとしての高出力化には適さない。【解決手段】コンタクト層6だけをストライプとして形成し、ストライプ幅L1、長さL2、コンタクト層と上部クラッド層5界面から活性層4までの厚さL3、活性層の幅L4を規定している。また、ストライプは、光放出面と垂直方向に対し傾斜角ζを有し、傾斜角を、10°以下で規定したり、光放出端面と該光放出端面と反対側の端面には、それぞれ発光波長領域における反射率が5%以下の膜を形成している。この様に、コンタクト層のみを傾斜型ストライプとして形成しており、高注入領域においても利得導波型として、単一横モ-ドが保持できSLDとして高出力化が可能となった。
其他摘要	要解决的问题：通过仅形成条状状态的接触层，使超发光二极管能够进行高输出操作。解决方案：在超发光二极管中，仅形成条状状态的接触层6和条带的宽度L1和长度L2，从接触层6和上包层5之间的界面开始的厚度L3在有源层4中，指定有源层4的宽度L4。另外，条纹相对于二极管的发光表面和垂直方向倾斜角度ζ，其被指定为<= 10度。并且，在发光端面和与发光端面相对的端面上分别形成在从二极管发出的光的波长区域中具有<= 5％的反射率的膜。由于只有接触层6以倾斜条纹的形式形成，所以二极管即使在高注入区域也可以保持单横模作为增益引导型二极管，并且可以在高注入时作为SLD产生高输出区。
主权项	-
申请日期	1999-02-24
专利号	JP2000244009A
专利状态	失效
申请号	JP1999046314
公开（公告）号	JP2000244009A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01L33/40 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64476
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	スタンレー電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中野義昭,丸山剛,梁吉鎬,et al. ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド. JP2000244009A[P]. 2000-09-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000244009A.PDF（74KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文