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回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ
其他题名回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ
宮▲崎▼ 勝; 篠田 和典; 青木 雅博; 石川 清司
1998-12-18
专利权人株式会社日立製作所
公开日期1998-12-18
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】特に量産性·再現性に優れた位相シフト型回折格子の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体結晶表面にパターン反転に利用する材料を成膜し、光の干渉露光法を用いた周期的なホトレジストパターンをマスクに上記材料パターンを加工する。上記材料パターンの所定の領域に結晶の回折格子を形成し、のち樹脂を埋込み、エッチバックにより樹脂層からなる反転パターンを残りの領域に形成し、これによって別の回折格子を結晶に形成する。
其他摘要要解决的问题:提供一种制造具有优异的批量生产率和再现性的相移型衍射光栅的方法。 用于图案反转的材料形成在半导体晶体的表面上,并且使用光干涉曝光方法作为掩模,使用周期性光刻胶图案处理材料图案。在材料图案的预定区域中形成晶体衍射光栅,之后掩埋树脂,并通过回蚀在剩余区域中形成由树脂层制成的反转图案,由此将另一衍射光栅形成为晶体。
主权项-
申请日期1997-05-27
专利号JP1998335743A
专利状态失效
申请号JP1997136433
公开(公告)号JP1998335743A
IPC 分类号G02B6/13 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人小川 勝男
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64367
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
宮▲崎▼ 勝,篠田 和典,青木 雅博,等. 回折格子の製造方法及びそれを用いて製造した半導体レーザ. JP1998335743A[P]. 1998-12-18.
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