Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光導波路の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体光導波路の製造方法 |
| 野極 誠二; 須田 一哉; 山本 英二; 濱田 圓; 沖 十九康 | |
| 1993-09-03 | |
| 专利权人 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 光導波路に近接して高抵抗の半導体層を形成する方法において、伝搬モードの制御と優れた電流狭窄性能とを同時にかつ容易に得られるようにする。 【構成】 メサエッチングとイオン注入、あるいは選択結晶成長とイオン注入を共通の選択マスクを用いて行い、セルフアラインメントに光導波路と高抵抗層とを形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过使用常见的选择性掩模进行台面蚀刻和离子注入或选择性晶体生长和离子注入，然后在自身形成光波导和高阻层，以简单的方式改善传播模式和电流变窄性能的控制一致的方式。组成：通过在基板1上执行多个半导体层2-4的外延生长，在基板1的表面上形成包含几乎平行的pn结的层结构，并且根据路径在表面上形成掩模5用于引导光线。然后，对层结构进行台面蚀刻，留下被掩模5覆盖的区域，并且通过在形成掩模5的区域之外的区域注入离子来增加层结构中的一部分层的电阻。然后，在台面侧选择性地生长掩埋层7。通过使用公共选择性掩模5仅对其周围区域执行蚀刻，半绝缘和选择性晶体生长处理来控制传播模式并提高注入效率。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1992-02-18 |
| 专利号 | JP1993226633A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992031018 |
| 公开（公告）号 | JP1993226633A |
| IPC 分类号 | G02B6/12 | H01S3/08 | H01L27/15 | G02B6/13 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S3/085 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 井出 直孝 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64342 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HIKARI KEISOKU GIJUTSU KAIHATSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野極 誠二,須田 一哉,山本 英二,等. 半導体光導波路の製造方法. JP1993226633A[P]. 1993-09-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993226633A.PDF（59KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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