Production of semiconductor element

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	Production of semiconductor element
其他题名	Production of semiconductor element
	KANEKO TADAO; SASAKI YOSHIMITSU; SAITO KATSUTOSHI
	1992-04-28
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1992-04-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a mask for dry etching having excellent perpendicularity by subjecting upper resist patterns of a three-layered structure to a high temp. heating treatment after the formation thereof, thereby erasing striation and the laminated cross stripes by the influence of standing waves. CONSTITUTION:A 1st layer photoresist layer 2 is formed on an InP semiconduc tor substrate 1 and is then spin coated with a soln. mixed with orthotitanic acid and is heat treated, by which an intermediate layer 3 is formed. The upper layer photoresist film is therafter formed and is exposed by a reduction stepper to form patterns 4. The striation 5 and the laminated cross stripes 6 generated by the influence of the standing waves are erased by executing the heating treatment for 20 minutes at 170 deg.C. The intermediate layer 3 and the lower layer resist 2 are dry etched in this way, by which the mask for sharp dry etching which is free from the striation at the pattern edges is obtd.
其他摘要	用途：通过使三层结构的上部抗蚀剂图案经受高温，获得具有优异垂直度的干蚀刻用掩模。在其形成之后进行加热处理，从而通过驻波的影响消除条纹和层叠的交叉条纹。组成：在InP半导体衬底1上形成第一层光致抗蚀剂层2，然后旋涂有溶胶。与原钛酸混合并进行热处理，由此形成中间层3。上层光致抗蚀剂膜在后形成并通过还原步进器曝光以形成图案4.通过在170度下进行20分钟的加热处理，擦除由驻波影响产生的条纹5和层叠交叉条纹6。。C。以这种方式干法蚀刻中间层3和下层抗蚀剂2，由此可以看到在图案边缘处没有条纹的用于急剧干蚀刻的掩模。
主权项	-
申请日期	1990-09-19
专利号	JP1992127157A
专利状态	失效
申请号	JP1990247132
公开（公告）号	JP1992127157A
IPC 分类号	G03F7/26 \| G03F7/38 \| H01L21/302 \| H01L21/3065 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64310
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	KANEKO TADAO,SASAKI YOSHIMITSU,SAITO KATSUTOSHI. Production of semiconductor element. JP1992127157A[P]. 1992-04-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992127157A.PDF（100KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文