Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置 |
| 川中 敏; 田中 俊明 | |
| 1998-06-09 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】キンクが発生するまでの光出力を高くかつ安定に保つことができ、製造歩留まりの良好な改良された半導体レーザ素子を提供すること。 【解決手段】発光領域となる活性層と当該活性層を上下に挾む二つのクラッド層からなるダブルヘテロ構造を半導体基板上に設け、電流注入を行なうストライプ構造をダブルヘテロ構造に設けた半導体レーザ素子において、ストライプ構造の幅に少なくとも一つの狭隘部を持たせ、幅を共振器の長さ方向に沿って変化させる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供改进的激光元件，同时通过在双异质结构的条纹结构的宽度上提供至少一个收缩部分来增加制造产量，改变沿谐振器纵向的宽度，从而维持光输出稳定地保持高水平直到产生扭结。解决方案：光学激光器元件包括接触有源层3的两个分开的包层中的第一包层4a，另一个第二包层4b，以及形成在包层4a，4b之间的蚀刻停止层5。包层4b形成为脊状，在其底部设置有条纹结构，条带宽度W在收缩部分的宽度W1和宽部分的宽度W0之间周期性地逐渐变细。谐振器长度L根据结构改变预定长度，光输出增加直到产生扭结，在低输出时抑制光束转向的产生，并且可以增加光输出直到通过降低光密度发生边缘击穿在边缘附近。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-11-25 |
| 专利号 | JP1998154843A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996313949 |
| 公开（公告）号 | JP1998154843A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/10 | H01S5/223 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 高橋 明夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64283 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子及びそれを用いた光ディスク装置. JP1998154843A[P]. 1998-06-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998154843A.PDF（93KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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