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Semiconductor laser device and modulation method thereof
其他题名Semiconductor laser device and modulation method thereof
WATANABE HITOSHI; FUJIWARA MASATOSHI; NAKAJIMA YASUO; SAKAKIBARA YASUSHI
1991-04-25
专利权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期1991-04-25
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To prevent a fluctuation of an oscillation wavelength by embedding an active layer near a laser beam emission region and forming clad layers of a p-type and an n-type with the activated layer in between to provide a laser modulation region where currents can be injected independently. CONSTITUTION:Active layers 3a are embedded on the both sides of an active layer 1a of a laser beam emission region P-type clad layers 3b thereon and n-type clad layers 3c thereunder are formed respectively to provide laser modulation regions 3. When the currents injected through contacts 4 into the regions 3 are modulated, the refractive indexes of the layers 3a vary and an optical output signal subjected to predetermined modulation is obtained by changing the light intensity distribution from the layer 1a. Since the modulation can be thus performed keeping the currents injected into the laser beam emission region 1 via contacts 2 constant, the modulation signal having a good quality and having no fluctuation of its oscillation wavelength can be obtained.
其他摘要用途:通过在激光束发射区域附近嵌入有源层并在其间形成激活层来形成p型和n型包层,以防止振荡波长的波动,从而提供电流可以的激光调制区域独立注射。组成:有源层3a嵌​​在激光束发射区域1的有源层1a的两侧。其上的P型包层3b和其下的n型包层3c分别形成,以提供激光调制区域3。通过触点4注入区域3的电流被调制,层3a的折射率变化,并且通过改变来自层1a的光强度分布获得经过预定调制的光输出信号。由于可以通过保持通过触点2注入激光束发射区域1的电流恒定来执行调制,因此可以获得具有良好质量并且其振荡波长没有波动的调制信号。
主权项-
申请日期1989-09-13
专利号JP1991101182A
专利状态失效
申请号JP1989237915
公开(公告)号JP1991101182A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/06 | H01S3/103 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64282
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
WATANABE HITOSHI,FUJIWARA MASATOSHI,NAKAJIMA YASUO,et al. Semiconductor laser device and modulation method thereof. JP1991101182A[P]. 1991-04-25.
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