独立してアドレス可能なモノリシック·レーザーアレイ

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	独立してアドレス可能なモノリシック·レーザーアレイ
其他题名	独立してアドレス可能なモノリシック·レーザーアレイ
	トーマス·エル·パオリ
	1998-03-10
专利权人	ゼロックスコーポレイション
公开日期	1998-03-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】頂部又は底部の活性領域の何れかを取り除くという必要を排除するモノリシックレーザーアレイを提供する。【解決手段】表面構造を有する基板102と、第1の光共振器の中に第1のレーザー要素141を形成し、第2の光共振器の中に第2のレーザー要素144を形成し、第1及び第2の光共振器が空間的に分離される、複数の半導体レーザー140,142と、横方向における第1レーザー要素141内の光学フィールドの閉込めを提供する成長式の側方導波管作用領域と、第1及び第2のレーザー要素141,144の間に形成され、第1及び第2のレーザー要素を電気的に絶縁する絶縁領域と、第1及び第2のレーザー要素141,144の各々に対して接続され、レーザー要素の各々が独立して放射を出す電極147,148,145,146とから構成される独立してアドレス可能な半導体レーザーアレイ。
其他摘要	要解决的问题：为了消除通过第一和第二光学谐振器在空间上彼此分离的方法去除单片激光器阵列的顶部或底部的有源区的必要性，用于第一激光器的生长侧波导作用区域在提供元件使用时，第一激光元件和第二激光元件都彼此电绝缘，并且两个激光元件中的每一个都设有电极，这些电极独立地被辐射。解决方案：上侧激光器元件144形成为台面结构，用于形成侧面波导以在元件144上涂覆n型Alx Ga1-x As层，之后，形成蚀刻停止层和n型Alx再次使Ga1-x As层涂覆元件144.在其上形成n型GaAs层138。在形成台面之后，使p型GaAs层139涂覆层138以将表面形成为平面，并且通过n型台面引导电流。由于台面结构下方区域中的有效折射率高于层139下方区域中的有效折射率，因此可以实现元件144的侧向波导作用。因此，由于根本不包括有源区的蚀刻，因此可以将样品污染的机会抑制到最小。
主权项	-
申请日期	1997-07-22
专利号	JP1998070337A
专利状态	失效
申请号	JP1997196119
公开（公告）号	JP1998070337A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/40 \| H01S5/34 \| H01S5/343 \| H01S5/223 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S3/18
专利代理人	小堀益 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64245
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼロックスコーポレイション
推荐引用方式 GB/T 7714	トーマス·エル·パオリ. 独立してアドレス可能なモノリシック·レーザーアレイ. JP1998070337A[P]. 1998-03-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998070337A.PDF（91KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文