面型発光素子およびその製造方法

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	面型発光素子およびその製造方法
其他题名	面型発光素子およびその製造方法
	川上剛司; 門田好晃; 小濱剛孝
	1993-09-10
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1993-09-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】発光領域が微細で、レーザ発振のしきい値が低く、かつ低抵抗で高性能の面型発光素子や面型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【構成】発光層を含むキャビティ領域と上部ミラーとの整合性を容易に、かつ完全にするために上部ミラーには半導体多層膜ミラーを使用し、下部ミラーからキャビティ領域および上部ミラーまでを、1回のエピタキシャル成長により連続して形成する。さらに、イオン注入の電圧を小さくして活性層へのダメージを極小さく抑え、かつ微細構造の発光領域および光学的ガイド構造を容易に形成するため、半導体多層膜からなる上部ミラーをメサエッチングして活性層までの距離を短くする。また、イオン注入および電極形成の際には、メサ部をイオン注入のマスクとしてセルフアライン的に行う。
其他摘要	目的发射区细，激光振荡的阈值是低的，并提供一种高性能的表面发光器件或表面型半导体激光器及其制造具有低电阻及其方法。 [配置]在空腔区域和所述上部反射镜包括发光层，并且为了完成，从下部反射镜的腔体区域和所述上部反射镜，1使用在所述上部反射镜的半导体多层反射镜之间容易一致性时代外延生长。此外，通过减少离子注入的电压，并且容易地形成发光区域与所述微结构的光导结构抑制到有源层非常小的损伤，半导体多层膜构成的上反射镜是台面蚀刻缩短到活动层的距离。在离子注入和电极形成中，台面部分用作自对准方式的离子注入掩模。
主权项	-
申请日期	1992-02-26
专利号	JP1993235473A
专利状态	失效
申请号	JP1992039171
公开（公告）号	JP1993235473A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S3/18
专利代理人	中村純之助
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64186
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	川上剛司,門田好晃,小濱剛孝. 面型発光素子およびその製造方法. JP1993235473A[P]. 1993-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993235473A.PDF（57KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文