Compound semiconductor light emitting element

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	Compound semiconductor light emitting element
其他题名	Compound semiconductor light emitting element
	KITAGAWA MASAHIKO; TOMOMURA YOSHITAKA; NAKANISHI KENJI
	1992-02-28
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1992-02-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To perform a high intensity light emitting element having a visible short wavelength (blue-ultraviolet) light by forming a semiconductor substrate of compound semiconductor and a current injection part of compound semiconductor containing at least Be and Te as component elements. CONSTITUTION:A semiconductor substrate 1 is formed of compound semiconductor, and a current injection part 2 is formed of compound semiconductor containing at least Be (beryllium) and Te (tellurium) as component elements. In this case, since characteristic containing conductivity of the current injection layer 2 relatively scarcely depending upon a defect in an epitaxially grown layer, desired (low resistance, etc.) characteristic can be easily obtained, and the band gap of the layer 2 is sufficiently larger than that of the light emitting layer 1 without respect to light emitting characteristic, but its band gap can be increased larger than that of the layer Thus, an injection efficiency can be greatly improved. Thus, a light emitting element having a high intensity blue light emitting diode can be manufactured.
其他摘要	目的：通过形成化合物半导体的半导体衬底和至少含有Be和Te作为组分元素的化合物半导体的电流注入部分，来执行具有可见短波长（蓝 - 紫外）光的高强度发光元件。组成：半导体衬底1由化合物半导体形成，电流注入部分2由至少含有Be（铍）和Te（碲）作为组成元素的化合物半导体形成。在这种情况下，由于电流注入层2的导电性的特性相对几乎不依赖于外延生长层中的缺陷，因此可以容易地获得所需的（低电阻等）特性，并且层2的带隙足够在不考虑发光特性的情况下，其发光层的间隙可以大于发光层1，但是其带隙可以比层1的带隙大。这样，可以大大提高注入效率。因此，可以制造具有高强度蓝色发光二极管的发光元件。
主权项	-
申请日期	1990-07-02
专利号	JP1992063479A
专利状态	失效
申请号	JP1990175808
公开（公告）号	JP1992063479A
IPC 分类号	H01L21/203 \| H01L27/15 \| H01L33/06 \| H01L33/28 \| H01L33/34 \| H01L33/40 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64071
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	KITAGAWA MASAHIKO,TOMOMURA YOSHITAKA,NAKANISHI KENJI. Compound semiconductor light emitting element. JP1992063479A[P]. 1992-02-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992063479A.PDF（550KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文