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光半導体装置および半導体レーザ装置
其他题名光半導体装置および半導体レーザ装置
岡井 誠; 魚見 和久; 辻 伸二; 坂野 伸治; 茅野 直樹
1998-03-10
专利权人株式会社日立製作所
公开日期1998-03-10
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】本発明は、波長可変幅の大きい半導体レーザ装置を提供するにある。 【解決手段】光導波領域と導波される光に摂動を与え得る非一様な摂動周期分布領域とを少なくとも有し、光導波積層体内部の光分布の変化せしめることにより、光の非一様な摂動周期分布領域との光結合強度を選択的に変化させ、波長を可変ならしめ、且つ前記非一様な摂動周期分布領域の一方の端部領域は摂動周期分布領域を有せしめない構造となす。
其他摘要本发明的一个目的是提供一种具有宽波长调谐宽度的半导体激光器件。 解决方案:光波导叠层至少具有光波导区域和能够扰动被引导的光的非均匀微扰周期分布区域,并且通过改变光波导叠层内部的光分布,扰动周期分布区域,选择性地改变光学耦合强度与扰动周期分布区域以使波长可变,并且非均匀扰动周期分布区域的一个末端区域没有具有扰动周期分布区域的结构茄子。
主权项-
申请日期1988-10-03
专利号JP1998070339A
专利状态失效
申请号JP1997226236
公开(公告)号JP1998070339A
IPC 分类号H01S5/042 | H01S5/125 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人高橋 明夫 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63970
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
岡井 誠,魚見 和久,辻 伸二,等. 光半導体装置および半導体レーザ装置. JP1998070339A[P]. 1998-03-10.
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JP1998070339A.PDF(73KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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