波長変換素子

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	波長変換素子
其他题名	波長変換素子
	八坂洋; 笠谷和生; 三条広明; 尾江邦重
	1995-06-16
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1995-06-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】入力信号光強度を低減し、素子偏波依存性を低減した波長変換素子を提供する。【構成】波長変換素子はn-InP基板1上に光増幅器22として活性層2、波長可変レーザ部21の光入力側SSG-DBR23、活性領域24、位相調整領域25および光出力側SSG-DRBとしてそれぞれ光導波路3、活性層4、位相調整領域5および光導波路6を光導波方向に接続し、埋め込み層8を設ける。これらの上にp-InPクラッド層9とInGaAsPキャップ層10をそれぞれ設た後、p-側電極12,14,15,16,17を光増幅器22、光入力側SSG-DBR23、活性領域24、位相調整領域25、光出力側SSG-DBRバイアス用に設ける。さらに、基板1の裏面側にn-側電極11を設け、光入出力側両端面に誘電体多層膜7を設ける。
其他摘要	目的：通过在可变波长半导体激光器的信号光输入侧集成半导体光放大器，将元件的输入信号光强度降低一个数量级或更多。组成：半导体光放大器22集成在可变波长激光器21的信号光输入侧，输入信号光在该区域被放大。区域22的有源层2具有多量子阱结构，其由InGaAs中的阱层和带端波长为3μm的InGaAsP势垒层组成。在有源层2的阱层中获得拉伸应变。对于具有与可变波长激光器21的振荡光的偏振波相同的偏振波的输入信号光的光放大增益与一个相比稍微小一些。具有垂直于振荡波的极化波的极化波的输入信号光。介电多层膜7在元件的两端形成为非反射涂层。可以将叠加在输入信号100上的信号叠加到元件的振荡光101上，并且可以减小在使用传统的一个数量级或更多个数量级的情况下所需的元件操作功率。
主权项	-
申请日期	1993-11-30
专利号	JP1995153933A
专利状态	失效
申请号	JP1993300325
公开（公告）号	JP1995153933A
IPC 分类号	H01L27/15 \| G02F2/02 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	谷義一 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63902
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	八坂洋,笠谷和生,三条広明,等. 波長変換素子. JP1995153933A[P]. 1995-06-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995153933A.PDF（32KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文