一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法

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	一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法
其他题名	一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法
	杨建锋; 鲁元; 陆伟忠; 刘荣臻; 乔冠军; 王红洁
	2010-06-16
专利权人	西安交通大学
公开日期	2010-06-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法，按重量百分比，包括下述组分：氧化铝60～72％、烧结助剂1～10％、碳黑18～30％、氮化铝晶种1～10％，将上述组分湿法球磨混合，得到混合粉末，然后模压成形，将上述成形体放入气氛炉中，在氮气压力高于1个大气压下加热到1650～1750℃保温1～4小时，即获得烧结体。本发明使用低成本的氧化铝和碳黑为原料制备高气孔率的氮化铝多孔陶瓷，可以克服传统方法制备氮化铝多孔陶瓷工艺复杂，成本过高的缺点，在高温电子器件、微波集成电路、混合集成电路、电力电子模块、激光二极管等光电领域，以及金属基复合材料的增强相中得到广泛应用。
其他摘要	本发明公开了一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法，按重量百分比，包括下述组分：氧化铝60～72％、烧结助剂1～10％、碳黑18～30％、氮化铝晶种1～10％，将上述组分湿法球磨混合，得到混合粉末，然后模压成形，将上述成形体放入气氛炉中，在氮气压力高于1个大气压下加热到1650～1750℃保温1～4小时，即获得烧结体。本发明使用低成本的氧化铝和碳黑为原料制备高气孔率的氮化铝多孔陶瓷，可以克服传统方法制备氮化铝多孔陶瓷工艺复杂，成本过高的缺点，在高温电子器件、微波集成电路、混合集成电路、电力电子模块、激光二极管等光电领域，以及金属基复合材料的增强相中得到广泛应用。
主权项	一种氮化铝多孔陶瓷，其特征在于，按重量百分比，包括下述组分：氧化铝60～72％、烧结助剂1～10％、碳黑18～30％、氮化铝晶种1～10％，其中烧结助剂选自Ia族氧化物、IIa族氧化物、IIIa族氧化物、稀土元素氧化物或氟化物的任一种。
申请日期	2009-12-04
专利号	CN101734923A
专利状态	失效
申请号	CN200910219299.9
公开（公告）号	CN101734923A
IPC 分类号	C04B35/581 \| C04B38/00 \| C04B35/622
专利代理人	朱海临
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63844
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	杨建锋,鲁元,陆伟忠,等. 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法. CN101734923A[P]. 2010-06-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101734923A.PDF（1244KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文