一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构
其他题名	一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构
	尧舜; 高祥宇; 王智勇; 邱运涛; 雷宇鑫; 贾冠男; 吕朝蕙
	2015-02-25
专利权人	北京工业大学
公开日期	2015-02-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射四种波长激光。本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长三层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有四个不同组分的有源区，成为可以同时发射出四种不同波长光的激光器，并且四种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。
其他摘要	本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射四种波长激光。本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长三层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有四个不同组分的有源区，成为可以同时发射出四种不同波长光的激光器，并且四种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。
主权项	一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底、缓冲层、四个外延生长层；所述蓝宝石衬底为基板，依次覆上缓冲层和四个外延生长层；所述四个外延生长层是采用金属有机化合物化学气相淀积的方式逐层沉积于所述蓝宝石衬底上方；其中，每个外延生长层从下往上依次包括N面电极接触层、保护层、N面包层、N面波导层、有源区、P面电子阻挡层、P面波导层、P面包层、P面电极接触层；在每个外延生长层的N面电极接触层生长相应的N型电极，在每个外延生长层的P面电极接触层生长相应的P型电极；所述P型电极和N型电极是在每个外延生长层上经光刻腐蚀、蒸发或溅射的方法覆盖一层或多层金属，然后再进行合金化形成的低阻金属。
申请日期	2014-12-11
专利号	CN104377549A
专利状态	失效
申请号	CN201410759469.3
公开（公告）号	CN104377549A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/06
专利代理人	王秀丽
代理机构	北京汇信合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63826
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	尧舜,高祥宇,王智勇,等. 一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构. CN104377549A[P]. 2015-02-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104377549A.PDF（473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文