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独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法
其他题名独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法
关宝璐; 李鹏涛; 赵永东; 刘储; 李保志; 杨嘉炜; 刘振扬; 郭燕玲; 梁津; 胡丕丽
2017-08-25
专利权人北京工业大学
公开日期2017-08-25
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法,其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为:激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射,结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调,通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
其他摘要本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法,其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为:激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射,结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调,通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
主权项独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列,其特征在于:该阵列自下而上主要包括激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。
申请日期2017-07-07
专利号CN107093840A
专利状态授权
申请号CN201710548939
公开(公告)号CN107093840A
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/40
专利代理人沈波
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63821
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
关宝璐,李鹏涛,赵永东,等. 独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法. CN107093840A[P]. 2017-08-25.
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