一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
其他题名	一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
	徐雨萌; 薄报学; 高欣; 乔忠良; 张晶; 李辉
	2017-10-20
专利权人	长春理工大学
公开日期	2017-10-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面，结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜，然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制，形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。
其他摘要	一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离子气氛表面处理砷化镓基半导体激光器腔面，结合真空镀膜或化学气相沉积制备保护膜，然后进行激光器腔面的高反膜或减反膜镀制，形成高功率工作条件下对工作环境气氛稳定的激光器腔面。
主权项	一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，其特征在于，通过六氟化硫的等离子气氛表面处理减少砷化镓基半导体激光器腔面的非辐射复合缺陷，从而抑制砷化镓基半导体激光器在高功率工作条件下的腔面温度升高与退化。
申请日期	2017-06-13
专利号	CN107275921A
专利状态	申请中
申请号	CN201710437897.8
公开（公告）号	CN107275921A
IPC 分类号	H01S5/028
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63761
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐雨萌,薄报学,高欣,等. 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法. CN107275921A[P]. 2017-10-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107275921A.PDF（44KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文