一种半导体激光器以及制作方法以及设备

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	一种半导体激光器以及制作方法以及设备
其他题名	一种半导体激光器以及制作方法以及设备
	张建伟; 宁永强; 张星; 贾鹏; 秦莉; 王立军
	2017-10-27
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2017-10-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器以及制作方法以及设备，该半导体激光器包括：衬底；设置在衬底一侧的N面波导层；设置在衬底一侧且背离N面波导层的N面电极；设置在N面波导层一侧且背离衬底的发光区；设置在发光区一侧且背离N面波导层的P面波导层；设置在P面波导层一侧且背离发光区的P面盖层；设置在P面盖层一侧且背离P面波导层的P面电极；设置在P面盖层上且内嵌至P面电极中的电流阻挡层；其中，电流阻挡层将P面电极划分为多个电流注入区域，且电流注入区域的大小由P面电极的中间至两端逐步减小。该半导体激光器具备高输出功率以及高光束质量的特点。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器以及制作方法以及设备，该半导体激光器包括：衬底；设置在衬底一侧的N面波导层；设置在衬底一侧且背离N面波导层的N面电极；设置在N面波导层一侧且背离衬底的发光区；设置在发光区一侧且背离N面波导层的P面波导层；设置在P面波导层一侧且背离发光区的P面盖层；设置在P面盖层一侧且背离P面波导层的P面电极；设置在P面盖层上且内嵌至P面电极中的电流阻挡层；其中，电流阻挡层将P面电极划分为多个电流注入区域，且电流注入区域的大小由P面电极的中间至两端逐步减小。该半导体激光器具备高输出功率以及高光束质量的特点。
主权项	一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：衬底；设置在所述衬底一侧的N面波导层；设置在所述衬底一侧且背离所述N面波导层的N面电极；设置在所述N面波导层一侧且背离所述衬底的发光区；设置在所述发光区一侧且背离所述N面波导层的P面波导层；设置在所述P面波导层一侧且背离所述发光区的P面盖层；设置在所述P面盖层一侧且背离所述P面波导层的P面电极；设置在所述P面盖层上且内嵌至所述P面电极中的电流阻挡层；其中，所述电流阻挡层将所述P面电极划分为多个电流注入区域，且所述电流注入区域的大小由所述P面电极的中间至两端逐步减小。
申请日期	2017-06-30
专利号	CN107302184A
专利状态	授权
申请号	CN201710525195.5
公开（公告）号	CN107302184A
IPC 分类号	H01S5/20
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63708
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张建伟,宁永强,张星,等. 一种半导体激光器以及制作方法以及设备. CN107302184A[P]. 2017-10-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107302184A.PDF（162KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文