一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件

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	一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件
其他题名	一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件
	关宝璐; 刘储; 江孝伟; 刘欣
	2015-09-30
专利权人	北京工业大学
公开日期	2015-09-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件，集成器件由VCSEL激光器和光电探测器组成，二者是利用半导体制造工艺的方法实现单片集成；其中一部分为VCSEL激光器，在电流驱动下可以达到发射所需探测激光的目的；另一部分为光电探测器，可以达到探测激光的目的；VCSEL激光器置于两个光电探测器之间；本发明可应用于微距离测量、生物探测、气体探测等方面，具有体积小，集成度高，功耗低，精确度较高等特点。
其他摘要	一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件，集成器件由VCSEL激光器和光电探测器组成，二者是利用半导体制造工艺的方法实现单片集成；其中一部分为VCSEL激光器，在电流驱动下可以达到发射所需探测激光的目的；另一部分为光电探测器，可以达到探测激光的目的；VCSEL激光器置于两个光电探测器之间；本发明可应用于微距离测量、生物探测、气体探测等方面，具有体积小，集成度高，功耗低，精确度较高等特点。
主权项	一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件，其特征在于：该器件包括VCSEL激光器、两个光电探测器；VCSEL激光器、两个光电探测器是利用半导体制造工艺的方法实现一次单片集成；所述VCSEL激光器置于两个光电探测器之间；所述VCSEL激光器光源用于发射特定波长的激光；所述两个光电探测器用于接收反射回的激光；所述光电探测器包括底部P型金属电极(1)、P型GaAs衬底(2)、本征型GaAs探测器有源区(3)、N型Al0.95Ga0.05As/Al0.25Ga0.75As交替生长的下DBR(4)、下端N型金属电极(5)；所述VCSEL激光器包括P型GaAs衬底(2)、本征型GaAs探测器有源区(3)、N型Al0.95Ga0.05As/Al0.25Ga0.75As交替生长的下DBR(4)、下端N型金属电极(5)、激光器量子阱有源区(6)、氧化限制层(7)、P型Al0.95Ga0.05As/Al0.25Ga0.75As交替生长的上DBR(8)、顶部P型金属电极(9)； VCSEL激光器与两光电探测器之间设置有激光器与探测器隔离层(10)；该器件从下到上依次为底部P型金属电极(1)、P型GaAs衬底(2)、本征型GaAs探测器有源区(3)、N型Al0.95Ga0.05As/Al0.25Ga0.75As交替生长的下DBR(4)、下端N型金属电极(5)、激光器量子阱有源区(6)、氧化限制层(7)、P型Al0.95Ga0.05As/Al0.25Ga0.75As交替生长的上DBR(8)、顶部P型金属电极(9)。
申请日期	2015-05-13
专利号	CN104952968A
专利状态	失效
申请号	CN201510243210.8
公开（公告）号	CN104952968A
IPC 分类号	H01L31/12 \| H01L31/18
专利代理人	沈波
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63695
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,刘储,江孝伟,等. 一种VCSEL激光器收发一体探测集成器件. CN104952968A[P]. 2015-09-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104952968A.PDF（450KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文