一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化方法

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	一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化方法
其他题名	一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化方法
	雷剑波; 顾振杰; 郭津博; 王植; 赵冬梅; 王云山
	2016-01-13
专利权人	天津工业大学
公开日期	2016-01-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化方法。其特征在于，包括以下步骤：一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带淬火方法，包括步骤：步骤一、将斜槽盘置于机床上以夹具固定；步骤二、使用丙酮溶液将斜槽盘易磨损的内槽面油污锈迹擦除干净；步骤三、使用半导体激光器扫描，激光输出功率3000W，光斑宽度3-40mm，焦距370mm，扫面速度3～12mm/s。本发明克服了传统工艺中针对斜槽盘内槽面难以强化或强化后发生变形的困难，提高了斜槽盘硬度，延长了使用寿命，提高了工作效率等优点。
其他摘要	本发明提供了一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化方法。其特征在于，包括以下步骤：一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带淬火方法，包括步骤：步骤一、将斜槽盘置于机床上以夹具固定；步骤二、使用丙酮溶液将斜槽盘易磨损的内槽面油污锈迹擦除干净；步骤三、使用半导体激光器扫描，激光输出功率3000W，光斑宽度3-40mm，焦距370mm，扫面速度3～12mm/s。本发明克服了传统工艺中针对斜槽盘内槽面难以强化或强化后发生变形的困难，提高了斜槽盘硬度，延长了使用寿命，提高了工作效率等优点。
主权项	一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化的方法，其特征在于：对斜槽盘固定，进行表面处理，采用半导体激光器对斜槽盘表面进行宽带激光强化。
申请日期	2015-11-03
专利号	CN105238908A
专利状态	失效
申请号	CN201510752453.4
公开（公告）号	CN105238908A
IPC 分类号	C21D1/09 \| C21D9/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63679
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	天津工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	雷剑波,顾振杰,郭津博,等. 一种挤出压延设备斜槽盘半导体激光宽带强化方法. CN105238908A[P]. 2016-01-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105238908A.PDF（747KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文