一种椭圆环形窗口半导体激光器

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	一种椭圆环形窗口半导体激光器
其他题名	一种椭圆环形窗口半导体激光器
	晏长岭; 李鹏; 史建伟; 李雨霏; 冯源; 郝永芹; 张剑家
	2016-07-20
专利权人	长春理工大学
公开日期	2016-07-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	传统的垂直腔面发射半导体激光器是完全对称的圆形，其输出光为圆形对称光束，光束不是空心的，且具有偏振不稳的状态。本发明提出一种椭圆环形窗口半导体激光器，其结构如图所示：椭圆环形窗口—1、上电极—2、欧姆接触层—3、上分布布拉格反射镜—4、氧化物限制层—5、半导体材料有源增益层—6、下分布布拉格反射镜—7、衬底—8、下电极—9，从椭圆环形窗口到有源增益层的整体结构为椭圆柱形结构，椭圆结构中长轴长度与短轴长度的比值选取范围为3:2至5:4，椭圆柱形结构的中心区域是空的，由刻蚀形成的椭圆形刻蚀区—10，刻蚀从欧姆接触层到上分布布拉格反射镜。本发明以电泵浦方式工作，在椭圆环形窗口的作用下，本发明可以出射椭圆空心光束，出射的椭圆空心光束还具良好的偏振特性，其偏振处于稳态。
其他摘要	传统的垂直腔面发射半导体激光器是完全对称的圆形，其输出光为圆形对称光束，光束不是空心的，且具有偏振不稳的状态。本发明提出一种椭圆环形窗口半导体激光器，其结构如图所示：椭圆环形窗口—1、上电极—2、欧姆接触层—3、上分布布拉格反射镜—4、氧化物限制层—5、半导体材料有源增益层—6、下分布布拉格反射镜—7、衬底—8、下电极—9，从椭圆环形窗口到有源增益层的整体结构为椭圆柱形结构，椭圆结构中长轴长度与短轴长度的比值选取范围为3:2至5:4，椭圆柱形结构的中心区域是空的，由刻蚀形成的椭圆形刻蚀区—10，刻蚀从欧姆接触层到上分布布拉格反射镜。本发明以电泵浦方式工作，在椭圆环形窗口的作用下，本发明可以出射椭圆空心光束，出射的椭圆空心光束还具良好的偏振特性，其偏振处于稳态。
主权项	一种椭圆环形窗口半导体激光器，其特征在于椭圆环形窗口、上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、半导体材料有源增益层、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极，从椭圆环形窗口到有源增益区的半导体整体为椭圆柱形结构，在椭圆柱形结构的外边墙与上电极之间有电绝缘层。
申请日期	2015-07-08
专利号	CN105790069A
专利状态	失效
申请号	CN201510396482.1
公开（公告）号	CN105790069A
IPC 分类号	H01S5/10
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63579
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	晏长岭,李鹏,史建伟,等. 一种椭圆环形窗口半导体激光器. CN105790069A[P]. 2016-07-20.

条目包含的文件
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CN105790069A.PDF（100KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文