基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器

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	基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器
其他题名	基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器
	汪丽杰; 佟存柱; 田思聪; 舒世立; 吴昊; 戎佳敏; 王立军
	2016-06-15
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2016-06-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、P型盖层和P面电极；N型波导、有源区和P型波导组成激光器的波导层，波导层的折射率大于N型包层和P型包层的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔，所述多个微孔设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔的数量从中心到边缘递增；微孔深度从P面电极的表面至P型包层，且微孔的底部与P型包层下表面距离小于激光器波导层的倏逝波长度。
其他摘要	基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、P型盖层和P面电极；N型波导、有源区和P型波导组成激光器的波导层，波导层的折射率大于N型包层和P型包层的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔，所述多个微孔设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔的数量从中心到边缘递增；微孔深度从P面电极的表面至P型包层，且微孔的底部与P型包层下表面距离小于激光器波导层的倏逝波长度。
主权项	基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极(10)、衬底(1)、缓冲层(2)、N型包层(3)、N型波导(4)、有源区(5)、P型波导(6)、P型包层(7)、P型盖层(8)和P面电极(9)；N型波导(4)、有源区(5)和P型波导(6)组成激光器的波导层(12)，波导层(12)的折射率大于N型包层(3)和P型包层(7)的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔(11)，所述多个微孔(11)设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔(11)的数量从中心到边缘递增；微孔(11)深度从P面电极(9)的表面至P型包层(7)，且微孔(11)的底部与P型包层(7)下表面距离小于激光器波导层(12)的倏逝波长度。
申请日期	2016-03-30
专利号	CN105680319A
专利状态	授权
申请号	CN201610191712.5
公开（公告）号	CN105680319A
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/323
专利代理人	刘慧宇
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63577
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	汪丽杰,佟存柱,田思聪,等. 基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器. CN105680319A[P]. 2016-06-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105680319A.PDF（168KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文