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一种半导体激光器的热管理装置
其他题名一种半导体激光器的热管理装置
杨晶; 许祖彦; 闫彪; 彭钦军; 许家林; 高伟男; 王伟伟
2016-01-27
专利权人中国科学院理化技术研究所
公开日期2016-01-27
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及一种半导体激光器的热管理装置,包括充有低熔点金属(3)的对流换热模块(2),半导体激光器(0)与对流换热模块(2)之间通过膨胀匹配导热层(1)实现热传递,对流换热模块(2)吸收热量后温度升高,通过高热导率金属外壳(200)和低熔点金属(3)进行散热。基于上述结构,避免了采用微通道水冷时,在水循环运行中长期运转导致的器件老化、腐蚀;同时解决了需要对水质与管道进行严格的控制和定期更换水的问题,并且大幅度提高了冷却效率,降低了装置体积和系统噪声,提高了装置可靠性与稳定性。可应用于半导体激光器,特别是高平均功率半导体激光阵列的热管理领域。
其他摘要本发明涉及一种半导体激光器的热管理装置,包括充有低熔点金属(3)的对流换热模块(2),半导体激光器(0)与对流换热模块(2)之间通过膨胀匹配导热层(1)实现热传递,对流换热模块(2)吸收热量后温度升高,通过高热导率金属外壳(200)和低熔点金属(3)进行散热。基于上述结构,避免了采用微通道水冷时,在水循环运行中长期运转导致的器件老化、腐蚀;同时解决了需要对水质与管道进行严格的控制和定期更换水的问题,并且大幅度提高了冷却效率,降低了装置体积和系统噪声,提高了装置可靠性与稳定性。可应用于半导体激光器,特别是高平均功率半导体激光阵列的热管理领域。
主权项一种半导体激光器的热管理装置,其特征在于,包括一面与半导体激光器(0)相连接的膨胀匹配导热层(1),膨胀匹配导热层(1)的另一面与对流换热模块(2)连接; 对流换热模块(2)中有熔点范围从-10℃~60℃的低熔点金属(3); 对流换热模块(2)包括热导率>100W.m-K-1的高热导率金属外壳(200)。
申请日期2014-05-30
专利号CN105281198A
专利状态申请中
申请号CN201410239522
公开(公告)号CN105281198A
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人李迪
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63538
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨晶,许祖彦,闫彪,等. 一种半导体激光器的热管理装置. CN105281198A[P]. 2016-01-27.
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