高功率高亮度半导体激光器组件

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	高功率高亮度半导体激光器组件
其他题名	高功率高亮度半导体激光器组件
	辛国锋; 瞿荣辉; 程灿; 皮浩洋; 陈高庭; 方祖捷
	2007-02-21
专利权人	中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期	2007-02-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种高功率高亮度半导体激光器组件，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本发明的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。
其他摘要	一种高功率高亮度半导体激光器组件，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本发明的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。
主权项	一种高功率高亮度半导体激光器组件，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。
申请日期	2006-09-08
专利号	CN1917314A
专利状态	失效
申请号	CN200610030962
公开（公告）号	CN1917314A
IPC 分类号	H01S5/40 \| H01S5/024 \| H01S5/022
专利代理人	张泽纯
代理机构	上海新天专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63453
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	辛国锋,瞿荣辉,程灿,等. 高功率高亮度半导体激光器组件. CN1917314A[P]. 2007-02-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1917314A.PDF（320KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文