分布反馈半导体激光器

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	分布反馈半导体激光器
其他题名	分布反馈半导体激光器
	奚燕萍; 李洵; 王莹; 付志明; 匡国华
	2016-02-10
专利权人	华中科技大学
公开日期	2016-02-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种分布反馈半导体激光器，上述激光器为多层复合结构，其中，多层复合结构依次由N型电极、衬底、下包层、下分别限制层、应变多量子阱有源层、上分别限制层、缓冲层、光栅层、上包层、P型电极组成，激光器相对设置的两个端面分别镀有高反膜层和减反膜层，光栅层的光栅布拉格波长与有源区增益峰波长失谐并相对蓝移。可以有效地减小激光器输出光信号在XG-PON或10G-EPON光纤接入网络中传输时由器件寄生啁啾引起的色散功率代价。
其他摘要	本发明公开了一种分布反馈半导体激光器，上述激光器为多层复合结构，其中，多层复合结构依次由N型电极、衬底、下包层、下分别限制层、应变多量子阱有源层、上分别限制层、缓冲层、光栅层、上包层、P型电极组成，激光器相对设置的两个端面分别镀有高反膜层和减反膜层，光栅层的光栅布拉格波长与有源区增益峰波长失谐并相对蓝移。可以有效地减小激光器输出光信号在XG-PON或10G-EPON光纤接入网络中传输时由器件寄生啁啾引起的色散功率代价。
主权项	一种分布反馈半导体激光器，其特征在于，包括：所述激光器为多层复合结构，其中，所述多层复合结构依次由N型电极、衬底、下包层、下分别限制层、应变多量子阱有源层、上分别限制层、缓冲层、光栅层、上包层以及P型电极组成，所述激光器相对设置的两个端面分别镀有高反膜层和减反膜层，所述光栅层的光栅布拉格波长与有源区增益峰波长失谐并相对蓝移。
申请日期	2014-08-05
专利号	CN105322437A
专利状态	失效
申请号	CN201410382706.9
公开（公告）号	CN105322437A
IPC 分类号	H01S5/12
专利代理人	余刚 \| 梁丽超
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63433
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	奚燕萍,李洵,王莹,等. 分布反馈半导体激光器. CN105322437A[P]. 2016-02-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105322437A.PDF（674KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文