布拉格反射波导GaSb基半导体激光器

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	布拉格反射波导GaSb基半导体激光器
其他题名	布拉格反射波导GaSb基半导体激光器
	佟存柱; 戎佳敏; 汪丽杰; 邢恩博; 田思聪; 刘云; 王立军
	2015-03-11
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2015-03-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极，第一中心腔和第二中心腔内设有有源层；下波导层包括多对n型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜；上波导层包括多对p型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜。本发明利用布拉格反射波导限制光场分布，可有效改善传统GaSb基边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧空、电热烧毁和光束成丝等效应，提高激光机的光束质量，有效的降低了垂直发散角，其横向远场发散角半高全宽可达到10°以下。
其他摘要	本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极，第一中心腔和第二中心腔内设有有源层；下波导层包括多对n型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜；上波导层包括多对p型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜。本发明利用布拉格反射波导限制光场分布，可有效改善传统GaSb基边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧空、电热烧毁和光束成丝等效应，提高激光机的光束质量，有效的降低了垂直发散角，其横向远场发散角半高全宽可达到10°以下。
主权项	一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极(1)、GaSb衬底(2)、下限制层(3)、下波导层、第一中心腔(6)、第二中心腔(8)、上波导层、上限制层(11)、盖层(12)和p面电极(12)；所述的第一中心腔(6)和第二中心腔(8)内设有有源层(7)；其特征在于，所述的下波导层包括多对n型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜；所述的上波导层包括多对p型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜。
申请日期	2014-07-18
专利号	CN104409965A
专利状态	失效
申请号	CN201410345364.3
公开（公告）号	CN104409965A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	陶尊新
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63386
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	佟存柱,戎佳敏,汪丽杰,等. 布拉格反射波导GaSb基半导体激光器. CN104409965A[P]. 2015-03-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104409965A.PDF（697KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文