外部谐振器型发光装置

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	外部谐振器型发光装置
其他题名	外部谐振器型发光装置
	近藤顺悟; 山口省一郎; 吉野隆史; 武内幸久
	2016-07-13
专利权人	日本碍子株式会社
公开日期	2016-07-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模，提高波长稳定性，抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备：光波导，其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其形成在光波导内；以及传播部，其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)～式(5)的关系。
其他摘要	不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模，提高波长稳定性，抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备：光波导，其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其形成在光波导内；以及传播部，其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)～式(5)的关系。
主权项	一种外部谐振器型发光装置，包括：单独使半导体激光振荡的光源、和光栅元件，且所述光源与所述光栅元件构成外部谐振器，该外部谐振器型发光装置进行单模振荡，其特征在于：所述光源包括使所述半导体激光振荡的活性层，所述光栅元件包括：光波导，其具有射入所述半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面；布拉格光栅，其形成在该光波导内；以及传播部，其设置在所述入射面与所述布拉格光栅之间；并且，所述外部谐振器型发光装置满足下述式(1)～式(5)的关系， ΔλG≥0.8nm……(1) Lb≤500μm……(2) La≤500μm……(3) nb≥8……(4) [算式12] 在式(1)中，ΔλG是布拉格反射率的峰值的半高宽，在式(2)中，Lb是所述布拉格光栅的长度，在式(3)中，La是所述活性层的长度，在式(4)中，nb是构成所述布拉格光栅的材质的折射率，在式(5)中，dλG/dT是布拉格波长的温度系数，dλTM/dT是满足外部谐振器型激光器的相位条件的波长的温度系数。
申请日期	2014-11-17
专利号	CN105765802A
专利状态	申请中
申请号	CN201480063207.1
公开（公告）号	CN105765802A
IPC 分类号	H01S5/14
专利代理人	王轶 \| 郑雪娜
代理机构	北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63242
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本碍子株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	近藤顺悟,山口省一郎,吉野隆史,等. 外部谐振器型发光装置. CN105765802A[P]. 2016-07-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105765802A.PDF（1973KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文