一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法

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	一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法
其他题名	一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法
	薄报学; 周路; 王云华; 许留洋; 高欣; 乔忠良
	2013-09-18
专利权人	长春理工大学
公开日期	2013-09-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法是在磁控溅射系统中，采用氩、氢混合等离子体去除激光器芯片解理面上的表面态，随后原位溅射一层ZnO薄膜作为钝化阻挡层，形成钝化膜后按照常规工艺镀制腔面增透膜和高反膜。该技术方案可应用于各类GaAs基半导体激光器制造。
其他摘要	一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输出功率，提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法是在磁控溅射系统中，采用氩、氢混合等离子体去除激光器芯片解理面上的表面态，随后原位溅射一层ZnO薄膜作为钝化阻挡层，形成钝化膜后按照常规工艺镀制腔面增透膜和高反膜。该技术方案可应用于各类GaAs基半导体激光器制造。
主权项	一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，该方法包括在磁控溅射系统内采用氩、氢混合等离子体分别对激光器前后腔面进行清洗，清洗后原位溅射ZnO钝化薄层，最后按常规工艺镀制前腔面增透膜和后腔面高反膜。
申请日期	2013-06-27
专利号	CN103311801A
专利状态	失效
申请号	CN201310260512.7
公开（公告）号	CN103311801A
IPC 分类号	H01S5/028 \| C23C14/08
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63234
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	薄报学,周路,王云华,等. 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法. CN103311801A[P]. 2013-09-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103311801A.PDF（226KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文