Semiconductor laser inspection device

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	Semiconductor laser inspection device
其他题名	Semiconductor laser inspection device
	MITA AKIRA
	1988-06-20
专利权人	NEC CORP
公开日期	1988-06-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain an inspection unit capable of rapidly performing a non- destructive, quantative test on a semiconductor laser regarding its various features, reliability in particular, by a method wherein a means to enable a specimen laser to be activated at a low temperature and a means to determine the infrared emission spectrum are provided. CONSTITUTION:An inspection unit, capable of the non-destructive evaluation of a III-V compound semiconductor laser 2 through the determination of its light-emitting features, includes a means to enable a specimen laser to be activated at a low temperature and a means to measure its infrared emission spectrum where the wavelength is not shorter than 2mum. For example, out of an emission 3 of the semiconductor laser 2 accommodated in a container 1 refrigerated to the temperature of liquid nitrogen, the wavelengths not shorter than 2mum are guided to an long-wave optical detector 6 through a lens/filter 4 and spectroscope 5, where the guided energy will be subjected to measurement in terms of emission intensity and wavelength.
其他摘要	目的：获得一种能够快速对半导体激光器进行无损，定量测试的检测装置，其中包括各种特性，特别是可靠性，其中一种方法是使样品激光器能够在低温下激活，提供了确定红外发射光谱的方法。组成：一个能够通过确定其发光特征对III-V化合物半导体激光器2进行无损评估的检测单元，包括一种能够在低温下激活样品激光器的方法和一种方法测量其波长不小于2mum的红外发射光谱。例如，在容纳在冷藏到液氮温度的容器1中的半导体激光器2的发射3中，不短于2μm的波长通过透镜/滤光器4和分光镜被引导到长波光学检测器6。在图5中，引导能量将在发射强度和波长方面进行测量。
主权项	-
申请日期	1986-12-10
专利号	JP1988147389A
专利状态	失效
申请号	JP1986295332
公开（公告）号	JP1988147389A
IPC 分类号	H01L21/66 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63058
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	MITA AKIRA. Semiconductor laser inspection device. JP1988147389A[P]. 1988-06-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988147389A.PDF（141KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文