Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光記憶装置 | |
| 其他题名 | 光記憶装置 |
| 硴塚 孝明; 武田 浩司; 佐藤 具就; 長谷部 浩一; 松尾 慎治 | |
| 2015-01-29 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2015-01-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】小型かつ低消費電力動作が可能な光メモリの実現を課題とする。 【解決手段】本発明は、線欠陥導波路が形成されたフォトニック結晶共振器であって、前記線欠陥導波路中に、活性層領域と、前記活性層と同一組成からなる可飽和吸収領域と、前記活性層領域と前記可飽和吸収領域とを電気的に分離する分離層とが形成された、フォトニック結晶共振器により構成され、前記フォトニック結晶共振器の共振器波長は、前記半導体スラブ構造及び前記分離層のバンドギャップ波長に対して長波長に設定され、前記分離層のバンドギャップ波長は、前記活性層領域と前記可飽和吸収領域のバンドギャップ波長よりも短波長に設定されることを特徴とする光記憶装置である。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：实现能够实现小尺寸和低功耗操作的光学存储器。 解决方案：其中形成线缺陷波导的光子晶体谐振器的特征在于有源层区域和具有与有源层相同组成的可饱和吸收区域以及用于将有源层区域和可饱和吸收区域彼此电隔离的分离层，其中光子晶体谐振器的谐振器波长是半导体的波长并且隔离层的带隙波长被设定为短于有源层区域和可饱和吸收区域的带隙波长。在光学存储设备中。 点域1 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2013-07-11 |
| 专利号 | JP2015018589A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2013145608 |
| 公开（公告）号 | JP2015018589A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/50 | G11B9/00 | G11B7/125 | G11C13/04 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 特許業務法人 谷·阿部特許事務所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61865 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 硴塚 孝明,武田 浩司,佐藤 具就,等. 光記憶装置. JP2015018589A[P]. 2015-01-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2015018589A.PDF（119KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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