面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器

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	面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器
其他题名	面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器
	沼田雅之
	2012-10-11
专利权人	RICOH CO LTD
公开日期	2012-10-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【課題】製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供する。【解決手段】面発光レーザ素子1は、アルミニウムを含まない材料からなる基板1a上に、第1の半導体多層膜(下部半導体DBR1b)と活性層1cおよび第2の半導体多層膜(上部半導体DBR1d)からなるアルミニウムを含む半導体層1eを有しており、この半導体層1eを、基板1aにいたる深さまでエッチングして第1の分離溝1fを形成し、半導体層1eに保護膜1gを形成し、第1の分離溝1fの中心部における基板1aを予め定められた深さまでエッチングして第2の分離溝1iを形成し、この第2の分離溝1iに沿って分離してなる。【選択図】図1
其他摘要	（经修改）要解决的问题：通过提高制造过程中的产量来提供高质量的表面发射激光器。在由不含铝的材料制成的基板1a上形成第一半导体多层膜（下半导体DBR 1b），有源层1c和第二半导体多层膜（上半导体DBR 1d），将半导体层1e蚀刻至到达基板1a的深度以形成第一分离槽1f，在半导体层1e上形成保护膜1g，将第一分离槽1f的中央部分中的基板1a蚀刻至预定深度以形成第二分离槽1i并沿着该第二分离槽1i分离。点域1
主权项	-
申请日期	2011-03-16
专利号	JP2012195431A
专利状态	失效
申请号	JP2011058003
公开（公告）号	JP2012195431A
IPC 分类号	H01S5/183 \| B41J2/44 \| G02B26/10
专利代理人	立石篤司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61696
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RICOH CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	沼田雅之. 面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器. JP2012195431A[P]. 2012-10-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2012195431A.PDF（229KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文