多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置

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	多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置
其他题名	多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置
	前田修; 汐先政貴; 荒木田孝博
	2008-12-04
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2008-12-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】搭載されるデバイスの小型化を可能にする多波長レーザを提供する。【解決手段】GaN基板10上に、GaN基板10上での結晶成長により形成されたレーザ構造部LD1と、GaN基板10とは異なる基板(GaAs基板130)上での結晶成長により形成されると共にGaN基板10上に、絶縁層11、接着層12および電極層13からなる積層構造を介して配設されたレーザ構造部LD2,LD3とが設けられている。つまり、レーザ構造部LD1とレーザ構造部LD2,LD3とが互いに異なる基板上での結晶成長により形成されているので、レーザ構造部LD1と、レーザ構造部LD2,LD3との波長差を大きくすることができる。また、各レーザ構造部LD1,LD2,LD3が共通のGaN基板10上に設けられているので、各レーザ構造部LD1,LD2,LD3から射出されるレーザ光の光軸の間隔を十分に狭くすることができる。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供能够减小安装设备尺寸的多波长激光器。所述的GaN基板10，通过晶体生长在GaN基板10上形成的激光结构LD1，同时通过在不同衬底上的晶体生长（GaAs基板130）和所述GaN衬底上形成10并且激光器结构部分LD2和LD3经由包括绝缘层11，粘合剂层12和电极层13的层叠结构设置在GaN衬底10上。也就是说，由于激光结构部LD1和激光器结构LD2，LD3是由在不同的基板的晶体生长形成为彼此，激光器结构LD1，增加激光结构LD2之间的波长差，LD3你可以做到。此外，由于激光器结构LD1，提供了一个共同的GaN基板10上LD2，LD3，为了充分减少从激光器结构LD1，LD2，LD3发射的激光束的光轴的距离你可以。 .The
主权项	-
申请日期	2007-05-28
专利号	JP2008294322A
专利状态	失效
申请号	JP2007139968
公开（公告）号	JP2008294322A
IPC 分类号	G11B7/135 \| H01S5/183 \| H01S5/343 \| G11B7/125
专利代理人	藤島洋一郎 \| 三反崎泰司
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61423
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	前田修,汐先政貴,荒木田孝博. 多波長レーザ、光ピックアップ装置および光ディスク装置. JP2008294322A[P]. 2008-12-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008294322A.PDF（402KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文