光集積化素子

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	光集積化素子
其他题名	光集積化素子
	百瀬正之; 川中敏
	2003-02-28
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2003-02-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザ光の遠視野像のアスペクト比を1に近似させた2ビームレーザと、2ビームレーザを組み込んだレーザビームプリンタの提供。【解決手段】 n型GaAs基板と、この基板の主面に順次重ねて形成されるn型クラッド層及び活性層と、前記活性層上に所定距離離して形成される複数のストライプ状のp型クラッド層と、前記ストライプ状のp型クラッド層の両側から活性層上に亘って形成されるn型半導体層と、n型半導体層及びストライプ状のp型クラッド層を被うp型半導体層とを有し、各ストライプ状のp型クラッド層に対応する活性層の端面からそれぞれレーザ光を出射する構成の半導体レーザを有する光集積化素子であって、レーザ光の遠視野像のアスペクト比が3よりも小さくなるようにストライプ状のp型クラッド層の幅は1μm程度で厚さはサブミクロン以下の厚さになっている。
其他摘要	要解决的问题：提供双光束激光器，其中激光远场图像的纵横比近似为1，以及包含双光束激光器的激光束打印机。 n型GaAs衬底，n型覆层和有源层依次形成在衬底的主表面上，以及以预定距离形成在有源层上的多个条形p型条带包层，在条形p型包层和有源层两侧形成的n型半导体层，以及覆盖n型半导体层和条形p型包层的p型半导体层一种光学集成装置，具有半导体激光器，被配置为从对应于每个条状p型包覆层的有源层的端面发射激光束，其中激光束的远场图案的纵横比是条纹状p型包覆层具有约1μm的宽度和小于亚微米的厚度，从而小于3。
主权项	-
申请日期	2001-08-08
专利号	JP2003060304A
专利状态	失效
申请号	JP2001240514
公开（公告）号	JP2003060304A
IPC 分类号	H01S5/22 \| G11B7/125 \| H01S5/22610
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60699
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	百瀬正之,川中敏. 光集積化素子. JP2003060304A[P]. 2003-02-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003060304A.PDF（122KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文