熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置

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	熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置
其他题名	熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置
	板倉正人; 稲吉寿浩; 杉浦裕胤
	2002-12-20
专利权人	AISIN SEIKI CO LTD
公开日期	2002-12-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】熱電チップの接合強度を確保するのに有利な熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置を提供する。【解決手段】熱電モジュール2は、第1電極21を有する第1基板22と、第2電極を有する第2基板と、Ni系メッキ層30が表面に被覆された熱電材料からなる複数個の熱電チップ25とを有する。熱電チップ25のNi系メッキ層30Aを第1基板22の第1電極21及び第2基板の第2電極に、鉛フリー化を進めたチップ接合用の半田層27で接合する。これにより各熱電チップ25を第1電極21と第2電極との間に位置させると共に第1電極21及び第2電極に電気的に接合させている。チップ接合用の半田層27は、重量比でSbを6〜15%含むSn基のSn-Sb系合金で形成されている。半田層27とNi系メッキ層30Aとの間にNi-Sn-Sb系の合金強化層28が形成されている。
其他摘要	要解决的问题：提供热电模块及其制造方法，热电装置和光纤投影仪，其有利于确保热电芯片的结合强度。解决方案：热电模块2包括具有第一电极21的第一基板22，具有第二电极的第二基板，以及多个热电芯片25，每个热电芯片25由热电材料形成并涂覆有基于Ni的热电材料。表面上镀层30。热电芯片25的Ni基镀层30A通过焊料层27接合到第一基板22的第一电极21和第二基板的第二电极，用于接合具有更高无铅水平的芯片。结果，每个热电芯片25设置在第一电极21和第二电极之间，并且同时电连接到第一电极21和第二电极。用于接合芯片的焊料层27由Sn-Sb基合金形成，以重量比计包括6至15％的Sb。在焊料层27和Ni基镀层30A之间，形成Ni-Sn-Sb基合金增强层28。
主权项	-
申请日期	2001-06-05
专利号	JP2002368293A
专利状态	失效
申请号	JP2001170041
公开（公告）号	JP2002368293A
IPC 分类号	H01L35/34 \| H01S5/02 \| H01L35/32 \| C22C30/00 \| C22C28/00 \| C22C13/02 \| C22C12/00 \| H01S5/024 \| H01S5/022 \| F25B21/02 \| H01L35/08 \| H01L35/16
专利代理人	大川宏
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60663
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	AISIN SEIKI CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	板倉正人,稲吉寿浩,杉浦裕胤. 熱電モジュール、熱電モジュールの製造方法、熱電装置、ファイバ投光装置. JP2002368293A[P]. 2002-12-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2002368293A.PDF（89KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文